اثر یان - تلر روی تهی جای الماس

Authors: not saved
Abstract:

در این مقاله ابتدا بلور الماس و نحوه ی ایجاد تهی جا در ان مورد مطالعه قرار گرفته است. سپس به بررسی اثر یان – تلر و تاثیر ان بر روی الماس پرداخته و از نرم افزار سی‌استا که بر اساس نظریه‌ی تابع چگالی اجرا می‌شود برای حل عددی خوشه ‍C70 H84 استفاده کرده‌ایم .برای اعمال نیرو به ملکول مورد محاسبه فاصله‌ی پیوند‌‌های اتمی را در یک راستا کاهش داده، مقدار انرژی و چگالی حالت‌ها محاسبه شد.نیروی اعمالی بر تهی‌جای الماس باعث جابجائی سطح انرژی فرمی و کاهش گاف (هومو- لومو) می‌شود. چگالی حالت‌ها در ناحیه‌ای که قبل از اعمال نیرو صفر بود بعد از اعمال نیرو دیگر صفر نبوده و مقدار آن با کاهش اندازه‌ی پیوند‌های اتمی که معادل افزایش نیرو به ملکول است، افزایش می‌‌‌‌یابد

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر

گرافین کامل و دست‌ نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان‌ یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل‌ توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانون...

full text

بررسی تغییر شکل تک محوره در تهی جای الماس توسط مدل هابارد

در این مقاله به کمک مدل هابارد تعمیم یافته تنش محوری در راستای [001] در شبکۀ تهی جای الماس مورد مطالعه قرار گرفته است. این تنش منجر به تغییر مکان اتم های کربن اطراف تهی جا شده و تقارن را به d2d کاهش می دهد. نتایج به دست آمده از این مدل و به کمک خوشۀ c70h70 در نرم افزار گاوسین نشان می دهد که ترازهای انرژی t (با تبهگنی فضایی سه-گانه) به ترازهای انرژی e (با تبهگنی فضایی دو گانه) و a (بدون تبهگنی ف...

full text

اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر

گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی جای ها، خواص مغناطیسی را به شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی جای ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوار...

full text

بررسی نظری تهی جا در الماس

ابتدا الماس و ایجاد تهی جاها و کاربردهای آن را مورد مطالعه قرار می دهیم . سپس به بررسی روش hartree fock و مشکلات آن در حل مسئله ی الماس با تهی جا می پردازیم . روش نظریه ی تابعی چگالی dft به عنوان جایگزینی برای حل مسئله ی الماس با تهی جای خنثی را معرفی می کنیم . برای حل عددی با استفاده از روش dft و به کارگیری نرم افزار siesta انرژی حالت پایه و نمودار dos را برای الماس با تهی جای خنثی بررسی می کن...

15 صفحه اول

خواص مغناطیسی گرافین با تهی جای در حضور کرنش با استفاده از محاسبات اصول اولیه

ما قصد داریم اثر انواع توزیع های کرنش سطحی بر روی خواص مغناطیسی سیستم های گرافین دارای تهی جای را بررسی نماییم. ما از روش محاسبات اصول اولیه و نظریه ی تابعی چگالی استفاده کرده، و شبیه سازی های خود را با کمک نرم افزار محاسباتی vasp انجام داده ایم. برای این منظور، چند سیستم گرافین دارای خوشه های تهی جای را به طور قراردادی نام گذاری کرده و انواع توزیع های کرنش سطحی با شدت های مختلف را در سه دسته ...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


Journal title

volume 6  issue 21

pages  17- 23

publication date 2015-02-20

By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023